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P4SMA Series
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
150
100
t r = 10 μs
Peak Val u e
I PPM
T J = 25 °C
P u lse Width (t d )
is defined as the Point
w here the Peak C u rrent
decays to 50 % of I PPM
200
100
T J = T J max.
8.3 ms Single Half Sine-Wa v e
50
Half Val u e - I PP
50
I PPM
2
10/1000 μs Wa v eform
as defined by R.E.A.
t d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10
1
5
10
50
100
t - Time (ms)
Fig. 3 - Pulse W aveform
N u mber of Cycles at 60 Hz
Fig. 6 - Maximum N on-Repetitive Forward Surge Current
Uni-Directional Use Only
10 000
T J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V sig = 50 mVp-p
Meas u red at
1000
100
10
Bi-Directional
Stand-Off
Voltage V WM
Uni-Directional
1
10
100
200
V BR - Breakdo w n Voltage (V)
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t p - P u lse D u ration (s)
Fig. 5 - Typical Transient Thermal Impedance
Revision: 10-Jan-14
4
Document Number: 88367
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